Thuis Productensemiconductor gallium arsenide wafer

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

semiconductor gallium arsenide wafer online fabricage

(10)

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contact

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Lees meer

2022-09-27 17:18:19

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n
Contact

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Lees meer

2022-10-09 09:53:40

GaN-epitaxiale wafer essentieel voor de productie van hoogspanningschipen met hoge frequentie
Contact

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Lees meer

2024-12-06 17:47:04

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat
Contact

2024-12-06 17:48:43

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Lees meer

2022-10-24 10:25:55

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Lees meer

2022-10-24 10:20:57

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm
Contact

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Lees meer

2022-10-24 10:23:40

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Lees meer

2022-10-24 10:21:10

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si gedopte substraten
Contact

2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Verhoog de productie Rapid Thermal Processing RTP-SA-8 Annealing System
Contact

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Lees meer

2024-12-06 17:48:00

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

semiconductor gallium arsenide wafer online fabricage

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contact

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n
Contact

GaN-epitaxiale wafer essentieel voor de productie van hoogspanningschipen met hoge frequentie
Contact

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat
Contact

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm
Contact

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si gedopte substraten
Contact

Verhoog de productie Rapid Thermal Processing RTP-SA-8 Annealing System
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP