Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(46)

Discrete Apparaten 2 Inch Silicium Wafer Dikte 675um 725um 775um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:50:52

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:53:50

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

Het Siliciumwafeltje 5“ Richtlijn <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> van CZ van de de groeimethode
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:53:40

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:52:11

Blauwe LED GaN op Silicon Wafer Blauwe Laser GaN Epitaxiale Wafer
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:37:25

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:10

Sic n-Type Substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:15

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:12:00

0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:16

Page 3 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

Discrete Apparaten 2 Inch Silicium Wafer Dikte 675um 725um 775um
Contact

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte
Contact

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Het Siliciumwafeltje 5“ Richtlijn <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> van CZ van de de groeimethode
Contact

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um
Contact

Blauwe LED GaN op Silicon Wafer Blauwe Laser GaN Epitaxiale Wafer
Contact

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Sic n-Type Substraat
Contact

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide
Contact

0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP