Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(46)

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:42:33

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:26

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:05

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:23:04

350um 4H SiC-substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:57

4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:35

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:47

6inch sic Epitaxial Wafeltje
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:56:20

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

Page 4 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit
Contact

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

350um 4H SiC-substraat
Contact

4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

6inch sic Epitaxial Wafeltje
Contact

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP