Vraag een offerte aan |
Thuis Productengan epitaxial wafer
Alle producten

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial Wafeltje

(39)

GaAs Epi-wafel

(15)

CVD diamantsubstraten

(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem

(2)

Hall-effect sensortester

(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

(21)

De Spaander van de laserdiode

(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide

(12)

Ga2O3 Wafeltje

(13)

siliciumwafeltje

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Gevormde Sapphire Substrates

(10)

wafeltjehouder

(1)

Wafelsnijmachine

(5)
Certificaat
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

gan epitaxial wafer online fabricage

(84)
kopen A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped online fabrikant

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

Lees meer
2023-02-17 11:02:58
kopen Single Crystal Gallium Nitride Halfgeleider Wafer TTV 10um online fabrikant

Single Crystal Gallium Nitride Halfgeleider Wafer TTV 10um
Contact

Lees meer
2024-10-29 11:49:57
kopen 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm online fabrikant

10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Contact

Lees meer
2025-04-27 11:43:50
kopen 2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten online fabrikant

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer
2025-04-04 22:43:44
kopen 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer online fabrikant

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

Lees meer
2025-04-27 11:43:51
kopen 5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser online fabrikant

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser
Contact

Lees meer
2025-04-04 22:43:38
kopen 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substraat Dikte 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm online fabrikant

10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substraat Dikte 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Contact

Lees meer
2025-04-04 22:43:27
kopen 5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN &lt; 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser online fabrikant

5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser
Contact

Lees meer
2025-04-04 22:43:36
kopen 5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity &gt; 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf online fabrikant

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

Lees meer
2025-04-04 22:43:36
kopen 10*10.5mm2 het Vliegtuig van GaN Single Crystal Substrate C (0001) Van Hoek naar m-As 0,35 ±0.15° online fabrikant

10*10.5mm2 het Vliegtuig van GaN Single Crystal Substrate C (0001) Van Hoek naar m-As 0,35 ±0.15°
Contact

Lees meer
2025-04-04 22:43:30
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
Over

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.