Thuis Productenwafer cassette carrier

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

wafer cassette carrier online fabricage

(9)

6 inch Wafer Houder Schoonmaken van bloemenmanden en handvatten
Contact

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base ... Lees meer

2022-10-09 10:46:01

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Contact

4 inch N-type Si-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＜0.05 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For lightly Si-doped GaN ([Si] = 2.1 × 1016 cm−3), the room temperature (RT) electron mobility was as high ... Lees meer

2025-04-04 22:42:55

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Lees meer

2025-04-04 22:43:47

4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
Contact

4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of ... Lees meer

2025-04-04 22:43:54

4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer
Contact

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer The electrical properties of p-type Mg-doped GaN are investigated through variable-temperature Hall effect ... Lees meer

2025-04-04 22:43:49

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contact

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Lees meer

2022-09-27 17:18:19

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n
Contact

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Lees meer

2022-10-09 09:53:40

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Lees meer

2022-10-24 10:20:57

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten
Contact

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Lees meer

2024-10-14 17:06:30

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

wafer cassette carrier online fabricage

6 inch Wafer Houder Schoonmaken van bloemenmanden en handvatten
Contact

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
Contact

4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer
Contact

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contact

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n
Contact

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP