Thuis Productensilicon carbide epitaxial wafers

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Sic Epitaxial Wafeltje
(28)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

silicon carbide epitaxial wafers online fabricage

(20)

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:22:34

260 μm siliciumcarbide substraat P-niveau voor stroomapparaten en microgolfapparaten
Contact

Lees meer

2023-02-17 17:14:50

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:23:04

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:10

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:19:48

350um 4H SiC-substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:57

Sic n-Type Substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:15

SP Gezicht 5 X 10mm2 Gallium Nitride Substraat 350um
Contact

Lees meer

2022-10-08 16:41:01

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2023-03-23 16:58:53

4 inch 4H-SiC Substraat P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Weerstand≥1E9Ω·Cm Voor Stroom En Magnetron
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:37:50

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

silicon carbide epitaxial wafers online fabricage

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm
Contact

260 μm siliciumcarbide substraat P-niveau voor stroomapparaten en microgolfapparaten
Contact

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

350um 4H SiC-substraat
Contact

Sic n-Type Substraat
Contact

SP Gezicht 5 X 10mm2 Gallium Nitride Substraat 350um
Contact

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

4 inch 4H-SiC Substraat P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Weerstand≥1E9Ω·Cm Voor Stroom En Magnetron
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP