N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

Name: N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD03-002-009
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Beste Producten

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

Grote Afbeelding : N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015
Modelnummer:	JDCD03-002-009

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T

Contact

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

beschrijving

Productnaam:	Sic Epitaxial Wafeltje	Crystal Form:	4h
Diameter:	150.0mm+0.0/-0.2mm	Oppervlakterichtlijn:	{0001}±0,2°
Inkepingsrichtlijn:	<1-100>±1°	Inkepingshoek:	90° +5°/-1°
Markeren:	N-type siliciumcarbidesubstraat , 6 inch SiC-substraat , D-klasse siliciumcarbidesubstraat 47

6inch 4H-SiC-substraat N-Type D Klasse 350,0 ± 25,0 μm MPD≤5/cm2 Resistiviteit 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm voor stroom- en microgolfapparaten

Overzicht
Siliciumcarbide (SiC) is een covalent netwerk vast.Als we naar de structuur kijken, zullen we zien dat de atomen van silicium met koolstofatomen zijn verbonden met behulp van een covalente binding tetraëdrisch.

We bieden een complete SiC-materiaaloplossing met flexibele specificaties.

Dikke epilagen Met of zonder buffer
Meerlaagse structuren Verschillende dopingniveaus, inclusief pn-overgangen
Epitaxie tijdens het proces Ingebedde en begraven structuren, contactlagen

Eigendom	P-MOS-kwaliteit	P-SBD-kwaliteit	D-klasse
Kristallen vorm	4 uur
polytype	Geen Toegestaan		Gebied≤5%
(MPD)^A	≤0,2 /cm²	≤0,5 /cm²	≤5/cm²
Zeskantige platen	Geen Toegestaan		Gebied≤5%
Zeshoekig polykristal	Geen Toegestaan
Insluitsels^A	Area≤0.05%	Area≤0.05%	NVT
weerstand	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)^A	≤4000/cm2²	≤8000/cm2²	NVT
(TED)^A	≤3000/cm2²	≤6000/cm2²	NVT
(BPD)^A	≤1000/cm2²	≤2000/cm2²	NVT
(TSD)^A	≤600/cm2²	≤1000/cm2²	NVT
Stapel fout	≤0,5% oppervlakte	≤1% oppervlakte	NVT
Oppervlakte metaalverontreiniging	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Diameter	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Oppervlakteoriëntatie	Buiten de as: 4° richting <11-20>±0,5 °
Primaire platte lengte	47,5 mm ± 1,5 mm
Secundaire vlakke lengte	Geen secundaire flat
Primaire platte oriëntatie	Parallel aan<11-20>±1°
Secundaire vlakke oriëntatie	NVT
Orthogonale desoriëntatie	±5,0°
Oppervlakteafwerking	C-gezicht: optisch Pools, Si-gezicht: CMP
wafel rand	Afschuinen
Oppervlakteruwheid (10 μm × 10 μm)	Si Gezicht Ra≤0.20 nm; C Gezicht Ra≤0.50 nm
Dikte^A	350,0 μm ± 25,0 μm
LTV (10 mm × 10 mm)^A	≤2μm		≤3μm
(TTV)^A	≤6μm		≤10μm
(BOOG)^A	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Verdraaien)^A	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Chips/inspringingen	Geen Toegestaan ≥0,5 mm breedte en diepte		Qty.2 ≤1.0 mm Breedte en Diepte
Krassen^A (Si-gezicht, CS8520)	≤5 en Cumulatieve Length≤0.5×Wafer Diameter		≤5 en Cumulatieve Length≤1.5×Wafer Diameter
TUA(2mm*2mm)	≥98%	≥95%	NVT
Scheuren	Geen Toegestaan
Verontreiniging	Geen Toegestaan
Eigendom	P-MOS-kwaliteit	P-SBD-kwaliteit	D-klasse
Randuitsluiting	3mm

Opmerking: 3 mm randuitsluiting wordt gebruikt voor de items gemarkeerd met^A.

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

Productnaam: Sic Epitaxial Wafeltje

Oppervlakterichtlijn: Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °

Polytype: Toegelaten niets

Orthogonal Misorientation: ±5.0°

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um

Productnaam: SiC-substraat

Crystal Form: 4h

Diameter: 150.0mm+0mm/0.2mm

Oppervlakterichtlijn: Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Productnaam: Sic Epitaxial Wafeltje

Crystal Form: 4h

Wafeltjerand: het beveling

Diameter: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Het Type 6inch 4H van niveau Psi sic Semi Isolerend Substraat 150mm

Productnaam: Sic Epitaxial Wafeltje

Crystal Form: 4h

Diameter: 150.0mm+0.0/-0.2mm

Oppervlakterichtlijn: {0001}±0,2°

4H sic Epitaxial Wafeltjep-mos Rang 150,0 mm +0mm/-0.2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Productnaam: Sic Epitaxial Wafeltje

Diameter: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Oppervlakterichtlijn: Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °

Primaire Vlakke Lengte: 47.5mm ± 1.5mm

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

N Type 6inch 4H Siliciumcarbide Substraat Primaire Platte Lengte 47.5mm

N-type siliciumcarbidesubstraat

6 inch SiC-substraat

D-klasse siliciumcarbidesubstraat 47

Epitaxial Wafeltjes van het siliciumcarbide,

n-Type sic Epitaxial Wafeltje,

sic Epitaxial Wafeltjec Gezicht

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Het Type 6inch 4H van niveau Psi sic Semi Isolerend Substraat 150mm

4H sic Epitaxial Wafeltjep-mos Rang 150,0 mm +0mm/-0.2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP