Thuis Productensilicon carbide crystal 4h

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Sic Epitaxial Wafeltje
(28)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

silicon carbide crystal 4h online fabricage

(28)

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:20:57

4 inch 4H-SiC Substraat P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Weerstand≥1E9Ω·Cm Voor Stroom En Magnetron
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:37:50

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit
Contact

Lees meer

2022-09-29 15:53:31

Polytype Geen Toegestaan SiC Epitaxiale wafer P-MOS P-SBD D-klasse
Contact

Lees meer

2023-02-17 17:47:57

0.015Ω•cm-0.025Ω•cm sic Epitaxial Wafeltje c-Gezicht Optisch Pools Si-Gezicht CMP
Contact

Lees meer

2023-02-17 15:51:34

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Lees meer

2023-02-17 15:34:54

Sic n-Type Substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:15

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:25:55

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

silicon carbide crystal 4h online fabricage

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

4 inch 4H-SiC Substraat P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Weerstand≥1E9Ω·Cm Voor Stroom En Magnetron
Contact

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit
Contact

Polytype Geen Toegestaan SiC Epitaxiale wafer P-MOS P-SBD D-klasse
Contact

0.015Ω•cm-0.025Ω•cm sic Epitaxial Wafeltje c-Gezicht Optisch Pools Si-Gezicht CMP
Contact

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Sic n-Type Substraat
Contact

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP