|
|
4H sic Epitaxial Wafeltje ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit2025-04-04 22:42:33 |
|
|
6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
350um 4H SiC-substraat2022-10-09 16:57:57 |
|
|
P-niveau 2 inch SiC-substraat voor stroomapparaten en microgolfapparaten2024-10-29 11:49:58 |
|
|
4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial Wafeltje Geen Secundaire Vlakte 3mm2024-10-29 11:49:58 |