Thuis Productensic epitaxial wafer c face

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

sic epitaxial wafer c face online fabricage

(33)

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:26:24

0.015Ω•cm-0.025Ω•cm sic Epitaxial Wafeltje c-Gezicht Optisch Pools Si-Gezicht CMP
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status
Contact

Lees meer

2024-10-14 17:06:30

4H SiC epitaxiaal wafel SiC wafelsubstraat voor fotonische apparaten ISO9001
Contact

Lees meer

2022-10-25 14:35:48

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:20:57

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:01

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:37

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:23:40

4H sic Epitaxial Wafeltje ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

sic epitaxial wafer c face online fabricage

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP
Contact

0.015Ω•cm-0.025Ω•cm sic Epitaxial Wafeltje c-Gezicht Optisch Pools Si-Gezicht CMP
Contact

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status
Contact

4H SiC epitaxiaal wafel SiC wafelsubstraat voor fotonische apparaten ISO9001
Contact

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um
Contact

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um
Contact

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm
Contact

4H sic Epitaxial Wafeltje ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP