Thuis Productenn type silicon epi wafer

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Sic Epitaxial Wafeltje
(28)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

n type silicon epi wafer online fabricage

(8)

Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:51:53

2“ het Wafeltjedikte 279μm van het Halfgeleidersilicium
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:54:31

Dikte 370um 430um 2 Duim GaN Epi Wafer Dimensions 50mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 17:52:26

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:23:04

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 15:19:25

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type
Contact

Lees meer

2023-02-17 17:53:35

Optische communicatie Galliumarsenide Substraat LED's
Contact

Lees meer

2022-10-09 09:53:08

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2024-07-31 15:01:27

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

n type silicon epi wafer online fabricage

Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat
Contact

2“ het Wafeltjedikte 279μm van het Halfgeleidersilicium
Contact

Dikte 370um 430um 2 Duim GaN Epi Wafer Dimensions 50mm
Contact

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type
Contact

Optische communicatie Galliumarsenide Substraat LED's
Contact

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP