|
Productdetails:
|
| Productnaam: | 2-duim Free-standing Substraten n-GaN | Boog: | ≤ 20μm |
|---|---|---|---|
| Vlakke richtlijn: | (1 - 100) ±0.1˚, 12,5 ± 1mm | Afmetingen: | 50.0 ±0.3mm |
| Dikte: | 400 ± 30μm | TTV: | ≤ 15µm |
| Markeren: | 2 duim GaN Epi Wafer,370um enig kristalwafeltje,430um GaN Epi Wafer |
||
Dikte 400 ± 30 2-duim μm Free-Standing n-GaN Substratenafmetingen 50,0 ±0.3 mm
het n-type van 2inch het c-Gezicht Si-Gesmeerde free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
Overzicht
De gemeenschappelijkste methode, deposito van de metaal het organische chemische damp (MOCVD), resulteert inherent in GaN die door koolstof, zuurstof wordt vervuild, en siliciumatomen uit de metal-organic voorlopers, susceptors, en de reactormuren. De omvang van verontreiniging hangt complexly van de de groeivoorwaarden af, met inbegrip van de de groeitemperatuur, III/V-verhouding, het tarief van de gasstroom, en reactordruk.
| 2-duim Free-standing Substraten n-GaN | ||||||
|
Productieniveau (P) |
Onderzoek (R) |
Proef (D) |
Nota: (1) 5 punten: de miscuthoeken van 5 posities zijn 0,55 ±0.15o (2) 3 punten: de miscuthoeken van posities (2, 4, 5) zijn 0,55 ±0.15o (3) bruikbaar gebied: uitsluiting van periferie en macrotekorten (gaten) |
|||
| P+ | P | P | ||||
| Punt | GaN-FS-c-n-C50-SSP | |||||
| Afmetingen | 50.0 ±0.3 mm | |||||
| Dikte | 400 ± 30 μm | |||||
| Vlakke richtlijn | (1 - 100) ±0.1o, 12,5 ± 1 mm | |||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||
| BOOG | ≤ 20 μm | |||||
| Weerstandsvermogen (300K) | ≤ 0,02 Ω·cm voor (Si-Gesmeerd) n-Type | |||||
| GA-de ruwheid van de gezichtsoppervlakte | <0> | |||||
| N de ruwheid van de gezichtsoppervlakte | 0,5 ~1,5 μm (enige opgepoetste kant) | |||||
| C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As (miscut hoeken) |
0,55 ± 0,1o (5 punten) |
0.55± 0,15o (5 punten) |
0,55 ± 0,15o (3 punten) |
|||
| Het inpassen van dislocatiedichtheid | ≤ 7,5 x 105 cm2 | ≤ 3 x 106 cm2 | ||||
| Aantal en maximum grootte van gaten in Ф47 mm in het centrum | 0 | ≤ 3@1000 μm | ≤ 12@1500 μm | ≤ 20@3000 μm | ||
| Bruikbaar gebied | > 90% | >80% | >70% | |||
| Pakket | Verpakt in cleanroom in enige wafeltjecontainer | |||||
Ongeveer ons
Wij specialiseren ons in de verwerking van een verscheidenheid van materialen in wafeltjes, substraten en aangepast optisch die glas parts.components wijd op elektronika, optica, opto elektronika en veel andere gebieden worden gebruikt. Wij hebben ook nauw met vele binnenlandse en overzee universiteiten, onderzoeksinstellingen samengewerkt en de bedrijven, voorzien omdat tomizedproducts en de diensten hun R&D-projecten. Het is onze visie aan het handhaven van een goede verhouding van samenwerking met onze alle klanten door onze goede reputaties.
FAQ
Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Q: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen in voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet in voorraad zijn, is het volgens hoeveelheid.
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of?
Ja, konden wij de steekproef voor vrije last aanbieden maar betalen niet de kosten van vracht.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden?
Betalings <>
betaling >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.
Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)
Tel.: +8613372109561
