Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

Name: Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

Grote Afbeelding : Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015
Modelnummer:	JDCD06-001-002

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1
Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	50000pcs/month

Contact

Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

beschrijving

Diameter:	2“	Rang:	Eerste
De groeimethode:	CZ	Richtlijn:	<1-0-0>,<1-1-1><1-1-0>
Type/Additief:	P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb	Dikte (μm):	279
Diktetolerantie:	Standaard± 25μm, Maximummogelijkheden ± 5μm	weerstandsvermogen:	0.001-100 ohm-cm
Gebeëindigde oppervlakte:	P/E, P/P, E/E, G/G	TTV (μm):	Standaard<10μm, Maximumcapabilities<5μm
Boog/Afwijking:	Standaard<40μm, Maximumcapabilities<20μm	Deeltje:	<10>
Markeren:	2 inch siliciumsubstraat , silicium 12 inch wafer , siliciumsubstraat 8''

2-inch silicium wafer 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" Prime Grade 0,001-100 ohm-cm

2-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten, geïntegreerde schakelingen, speciale substraten voor discrete apparaten

Overzicht

Bijna alle elektronische apparatuur om ons heen maakt gebruik van halfgeleiderapparaten.Dat omvat informatie-apparaten zoals smartphones, pc's, tablets en draagbare computers;huishoudelijke apparaten zoals tv's en airconditioners;en transportmiddelen van auto's naar treinen.

Specificatie

silicium wafer
Diameter	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Cijfer	Primeur
Groei Methode	CZ
oriëntatie	<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Type/doteerstof	P Type/Borium, N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dikte (μm)	279/380/525/625/675/725/775
Dikte Tolerantie	Standaard ± 25μm, maximale capaciteit ± 5μm
weerstand	0.001-100 ohm-cm
Oppervlak Afgerond	P/E,P/P,E/E,G/G
TTV (μm)	Standaard <10 μm, maximale capaciteiten <5 μm
Boog/Schering	Standaard <40 μm, maximale capaciteiten <20 μm
Deeltje	<10@0.5μm;<10@0.3μm;<10@0.2μm;

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel

Diameter: 2“

Rang: Eerste

De groeimethode: CZ

Richtlijn: <1-0-0>,<1-1-1><1-1-0>

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte

De groeimethode: CZ

Diameter: 2“

Rang: Eerste

Richtlijn: <1-0-0>,<1-1-1><1-1-0>

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um

Diameter: 2“

Rang: Eerste

De groeimethode: CZ

weerstandsvermogen: 0.001-100 ohm-cm

Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat

Rang: Eerste

De groeimethode: CZ

Type/Additief: P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Dikte (μm): 279

N Type het Siliciumwafeltje 3“ Dikte 279um 380um 525um 625um van Phos

Type/Additief: P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Dikte (μm): 279

Diktetolerantie: Standaard± 25μm, Maximummogelijkheden ± 5μm

weerstandsvermogen: 0.001-100 ohm-cm

Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

2 inch siliciumsubstraat

silicium 12 inch wafer

siliciumsubstraat 8''

N Type siliciumepi wafeltje,

p type siliciumsubstraat,

Het Siliciumwafeltje van CZ

0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um

Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat

N Type het Siliciumwafeltje 3“ Dikte 279um 380um 525um 625um van Phos

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP