Thuis Productenn type sic crystal

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

n type sic crystal online fabricage

(26)

JDZJ01-001-002 sic Baarkristal 4 de“ Rang van D
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:20

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:35:24

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:42:33

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:26

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:05

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:12:00

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

150 mm 4H SiC wafer semi-isolerend substraat 6 inch 350 μm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:22:12

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

n type sic crystal online fabricage

JDZJ01-001-002 sic Baarkristal 4 de“ Rang van D
Contact

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm
Contact

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit
Contact

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide
Contact

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

150 mm 4H SiC wafer semi-isolerend substraat 6 inch 350 μm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP