Thuis Productencarrier hall effect sensor tester

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(62)

Sic Epitaxial Wafeltje
(28)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

carrier hall effect sensor tester online fabricage

(3)

Industrie van Hall Effect Sensor Tester Semiconductor van de dragerconcentratie
Contact

Lees meer

2022-09-22 16:41:40

Hall Coefficient Hall Effect Sensor-het Weerstandsvermogenmeting van de Meetapparaatmobiliteit
Contact

Lees meer

2022-10-09 09:55:01

De Concentratiemeting van Hall Effect Sensor Tester Carrier van halfgeleidermaterialen
Contact

Lees meer

2022-09-22 16:41:29

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

carrier hall effect sensor tester online fabricage

Industrie van Hall Effect Sensor Tester Semiconductor van de dragerconcentratie
Contact

Hall Coefficient Hall Effect Sensor-het Weerstandsvermogenmeting van de Meetapparaatmobiliteit
Contact

De Concentratiemeting van Hall Effect Sensor Tester Carrier van halfgeleidermaterialen
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP