Thuis Producten De Spaander van de laserdiode

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

Name: Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

Grote Afbeelding : Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Betalingscondities:	T/T

Contact

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

beschrijving

Type:	Laserdiode	Toepassing:	Laser printen
Pakkettype:	Opbouwmontage, standaardpakket	Werkende Temperatuur:	15-55 ℃
Golflengte:	915nm	Zender Grootte:	94μm
Drempelstroom:	0.5A	Efficiëntie van stroomomzetting:	58%
Markeren:	0.5A laserdiodechip , 915nm diodechips , laserdiodechip 10W

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

On-chip integratie van laserdiodes en fotodetectoren met golfgeleiders van silicium nanodraad wordt gedemonstreerd.Door flip-chipbinding van GaInNAs/GaAs-laserdiodes rechtstreeks op het siliciumsubstraat werd een efficiënte warmteafvoer gerealiseerd en karakteristieke temperaturen tot wel 132K bereikt.Er werden spot-size converters voor de laser-naar-golfgeleider-koppeling gebruikt, met een efficiëntie van meer dan 60%.

De fotodetectoren werden vervaardigd door InGaAs/InP-wafels rechtstreeks op siliciumgolfgeleiders te binden en metaal-halfgeleider-metaalstructuren te vormen, waardoor verantwoordelijkheden tot wel 0,74 A/W werden verkregen.Zowel de laserdiode als de fotodetector werden geïntegreerd met een enkele siliciumgolfgeleider om een complete on-chip optische transmissieverbinding te demonstreren.

Optisch
Centrale golflengte	915nm
Uitgangsvermogen	10W
Spectrale breedte FWHM	≤6nm
Helling efficiëntie	1.0W/A
Snelle asdivergentie	60 graden
Langzame as divergentie	11 graden
Polarisatie modus	TE
Zender Grootte	94um
Elektrisch
Drempelstroom	0.5A
Bedrijfsstroom	12A
Werkspanning	1.65V
Efficiëntie van stroomomzetting	58%
Thermisch
Bedrijfstemperatuur	15-55 ℃
Bewaar temperatuur	-30-70℃
Golflengte Temp.Coëfficiënt	0.3nm/℃

Tekening

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58% 0

FAQ

Q1: Welke betaalmethoden ondersteunt u?
T/T en Western Union, voor uw keuze

Q2: Hoe lang kan ik het pakket ontvangen?
Normaal 1-2 weken FedEx,DHL Express,UPS,TNT

Q3: Wat is de doorlooptijd?
Standaard product zijn allemaal op voorraad.Verzending via Express binnen 3~4 werkdagen.Aangepaste stapel heeft 15 werkdagen nodig.

Q4: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabrikant met meer dan 11 jaar ervaring en bieden ook de technische oplossing voor alle klanten.

Q5: Kunt u uw kwaliteit waarborgen?
Natuurlijk zijn wij een van de meest gerenommeerde fabrikanten in China.Kwaliteit is voor ons het belangrijkste, we hechten veel waarde aan onze reputatie.De beste kwaliteit is de hele tijd ons principe.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Golflengte: 915nm

Outputmacht: 10

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Outputmacht: 10

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

0.5A laserdiodechip

915nm diodechips

laserdiodechip 10W

De Diodespaander van de hoge Machtslaser,

De Laserspaander van de halfgeleiderdiode,

Diodelaser Chip On Submount

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP