Thuis Productensemiconductor diode laser chip

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

semiconductor diode laser chip online fabricage

(4)

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:10:25

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:12:40

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:13:34

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:18:05

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

semiconductor diode laser chip online fabricage

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm
Contact

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%
Contact

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A
Contact

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP