Thuis Productendiode laser chip on submount

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(62)

Sic Epitaxial Wafeltje
(28)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

diode laser chip on submount online fabricage

(10)

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:11:09

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A
Contact

Lees meer

2022-09-26 11:34:28

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:10:25

0.5A de Oppervlakte van Chip Laser Printing Wavelength 915nm van laserdioden zet op
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:04:02

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:13:16

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:13:34

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:13:00

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:12:40

94um de Golflengte 915nm van Chip Slope Efficiency 1.0W/A van de laserdiode
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:04:51

De Diode Chip Operating Temperature de Macht 10W van de laserdruk van de 15 tot 55 Graadoutput
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:09:34

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

diode laser chip on submount online fabricage

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp
Contact

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A
Contact

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm
Contact

0.5A de Oppervlakte van Chip Laser Printing Wavelength 915nm van laserdioden zet op
Contact

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode
Contact

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A
Contact

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A
Contact

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%
Contact

94um de Golflengte 915nm van Chip Slope Efficiency 1.0W/A van de laserdiode
Contact

De Diode Chip Operating Temperature de Macht 10W van de laserdruk van de 15 tot 55 Graadoutput
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP