Thuis Productenled sapphire substrate r9

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

led sapphire substrate r9 online fabricage

(13)

R Type 50 mm saffierwafer Dikte 420 μm lengte (mm) 16 LED-chip
Contact

50mm Sapphire Substrate Wafer High Purity Al2O3(＞99.995%) Thickness 430 ± 10 μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430um, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip... Lees meer

2023-02-17 11:23:22

Opto-elektronica Polijsten Sapphire Crystal Wafer R Type
Contact

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lees meer

2023-02-17 11:22:48

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contact

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lees meer

2023-02-17 10:18:27

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

led sapphire substrate r9 online fabricage

R Type 50 mm saffierwafer Dikte 420 μm lengte (mm) 16 LED-chip
Contact

Opto-elektronica Polijsten Sapphire Crystal Wafer R Type
Contact

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP