Thuis Producten

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

CHINA Het Wafeltje van het aluminiumnitride

2 inch Aluminium Nitride Wafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

Afmetingen:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), Al Face, Lokalisatierand 16,0 ± 1,0 mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Richtlijn:C-vlak (0001) ±1˚
1inch aluminiumnitride AlN Enig Crystal Sapphire Wafer 400um

Productnaam:AlN eenkristal

Ruwheid:Al gezicht: ≤0.5nm N gezicht (achterkant): ≤1.2μm

Verschijning:Ronde riem positioneringsrand
Enig Kristal 400±50μM van JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN S/P/R-Rang

Productnaam:AlN eenkristal

Diameter (mm):10x10

Dikte (μm):400±50
JDWY01-001-006 2 Duim Dikke Film (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM van (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Afmetingen:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), Al Face, Lokalisatierand 16,0 ± 1,0 mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Dikte:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
JDWY01-001-004 2 duim dikke film (2,3) um AIN op saffierwafeltje, DSP, XRD FWHM van (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Afmetingen:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), Al Face, Lokalisatierand 16,0 ± 1,0 mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Richtlijn:C-vlak (0001)±1o
$JDWY01-001-007 2 inch dikke film (4,5) Um AIN op saffierwafer, SSP, XRD FWHM van (002) ≤ 160 boogseconden \ (102) ≤ 400 boogseconden$

JDWY01-001-007 2 inch dikke film (4,5) Um AIN op saffierwafer, SSP, XRD FWHM van (002) ≤ 160 boogseconden \ (102) ≤ 400 boogseconden

Afmetingen:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), Al Face, Lokalisatierand 16,0 ± 1,0 mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Dikte:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
1 inch AlN Single Crystal wafer 400±50μM S/P/R Grade

kristalvorm:2 uur

Dikte:400±50

Ruwheid:Al gezicht: ≤0.5nm n-gezicht (achter): ≤1.2μm
ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

Diameter:10mmx10mm

Dikte (μm):400±50

kristalvorm:2 uur
JDWY01-001-002 2 inch dikke film (1,2) Um AIN op saffierwafel, DSP, XRD FWHM van (002) ≤ 80 boogseconden (102) ≤ 650 boogseconden

Dikte:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Richtlijn:C-vlak (0001)±1o

Geleidingstype:Semi-Insulating

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

CHINA Het Wafeltje van het aluminiumnitride

2 inch Aluminium Nitride Wafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

1inch aluminiumnitride AlN Enig Crystal Sapphire Wafer 400um

Enig Kristal 400±50μM van JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN S/P/R-Rang

JDWY01-001-006 2 Duim Dikke Film (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM van (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

JDWY01-001-004 2 duim dikke film (2,3) um AIN op saffierwafeltje, DSP, XRD FWHM van (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

JDWY01-001-007 2 inch dikke film (4,5) Um AIN op saffierwafer, SSP, XRD FWHM van (002) ≤ 160 boogseconden \ (102) ≤ 400 boogseconden

1 inch AlN Single Crystal wafer 400±50μM S/P/R Grade

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

JDWY01-001-002 2 inch dikke film (1,2) Um AIN op saffierwafel, DSP, XRD FWHM van (002) ≤ 80 boogseconden (102) ≤ 650 boogseconden

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP