|
Productdetails:
|
| kristalvorm: | 2 uur | Dikte: | 400±50 |
|---|---|---|---|
| Ruwheid: | Al gezicht: ≤0.5nm n-gezicht (achter): ≤1.2μm | Diameter: | 25.4±0.5 |
| Polytype: | {0001}±0,5° | ||
| Markeren: | 1 inch wafer,Aln wafer 1 inch,aluminiumnitride wafers |
||
Het AlNsubstraat is één van het populairste ceramische substraat dat uitstekende hittebestendigheid, hoge mechnical sterkte, schuringsweerstand en klein diëlektrisch verlies heeft. De oppervlakte van AlN-substraat is vrij vlotte en lage poreusheid. Het aluminiumnitride heeft hoger warmtegeleidingsvermogen, in vergelijking met alumina substraat, is het ongeveer 7 tot 8 keer hoog. Het AlNsubstraat is een uitstekend elektronisch pakketmateriaal.
Een dunne film van aluminiumnitride is een laag van aluminium die tegen hoge temperaturen bestand is. Tijdens hoge temperaturen, zal deze laag van aluminium helpen het materiaal beschermen. In hoge drukmilieu's, kan het onstabiel zijn. Het kan een waaier van temperaturen tot 980degC weerstaan. Op lagere niveaus, kan het aan mensen giftig zijn. Het wordt ook gebruikt in mobiele telefoons. Zijn eigenschappen zijn uiterst divers.
| 1inch het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride | |||
| Crystal Specifications | Parameterwaarde | ||
| Diameter (mm) | 25.4±0.5 | ||
| Dikte (μm) | 400±50 | ||
| Crystal Form | 2H | ||
| Polytype | {0001} ±0.5° | ||
| Oppervlakte het oppoetsen | Aluminiumoppervlakte: het chemische oppoetsen (het dubbele oppoetsen kan worden aangepast) | ||
| Ruwheid |
Al gezicht: ≤0.5nm N gezicht (achter): ≤1.2μm |
||
| verschijning | Cirkelriem plaatsende rand | ||
| Kwaliteitsrang | S (Super) rang | P rang (Prouduction) | R rang (Onderzoek) |
| De Halve hoogte van HRXRD width@ {0002} (arcsec) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
| De Halve hoogte van HRXRD width@ {10-12} (arcsec) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
| absorptie coefficient@265nm (cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
| Randuitsluiting (mm) | 1 | 1 | 1 |
| Paragrafen | / | / | / |
| Spaanders | / | / | ≤3 cumulatieve ≤1.0mm |
| TUA | ≥90% | ||
| Hoofd het plaatsen randrichtlijn | {10-10} ±5.0° | ||
| Richtlijn van secundaire plaatsbepalingsoppervlakte |
Al gezicht: Roteer met de wijzers van de klok mee in de richting van het belangrijkste plaatsen edge90°±5° N gezicht: Roteer linksdraaiend in de richting van het belangrijkste plaatsen edge90°±5° |
||
| TTV (μm) | ≤30 | ||
| Afwijking (μm) | ≤30 | ||
| Boog (μm) | ≤30 | ||
| Barsten | Nr, bloot oog, sterk licht | ||
| Verontreiniging | Nr, bloot oog, straling | ||
| Lasercodage | N gezicht, Parallel met de belangrijkste plaatsbepalingsrand | ||
| Pakket | Monolithische wafeltjedoos | ||
Ongeveer ons
Wij specialiseren ons in de verwerking van een verscheidenheid van materialen in wafeltjes, substraten en aangepast optisch die glas parts.components wijd op elektronika, optica, opto elektronika en veel andere gebieden worden gebruikt. Wij hebben ook nauw met vele binnenlandse en overzee universiteiten, onderzoeksinstellingen samengewerkt en de bedrijven, verlenen aangepaste producten en de diensten voor hun R&D-projecten. Het is onze visie aan het handhaven van een goede verhouding van samenwerking met onze alle klanten door onze goede reputaties.
FAQ
Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Q: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen in voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet in voorraad zijn, is het volgens hoeveelheid.
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of?
Ja, konden wij de steekproef voor vrije last aanbieden maar betalen niet de kosten van vracht.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden?
Betalings <>
betaling >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.
Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)
Tel.: +8613372109561
