Thuis Productensilicon wafer dicing machine

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

silicon wafer dicing machine online fabricage

(2)

Siliciumwafelblokjesmachine 260 mm automatische blokjeszaag
Contact

DAD3350 Wafer Dicing Machine Automatic Dicing Saw X-Axis Cutting Range 260mm Supports a wide range of applications DAD3350 is capable of handling a maximum of Φ8-inch or 250 x 250 mm workpieces (user-specified ... Lees meer

2022-10-09 10:48:06

Automatische wafelblokjesmachine 8 inch 250 mm × 250 mm 300 mm
Contact

0.1 ～ 600mm/s Wafer Dicing Machine Φ8 Inch (250 mm × 250 mm, Φ300 mm User-Specified Specification) Supports a wide range of applications DAD3350 is capable of handling a maximum of Φ8-inch or 250 x 250 mm ... Lees meer

2022-10-09 10:47:50

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

silicon wafer dicing machine online fabricage

Siliciumwafelblokjesmachine 260 mm automatische blokjeszaag
Contact

Automatische wafelblokjesmachine 8 inch 250 mm × 250 mm 300 mm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP