Thuis Productensapphire aluminum nitride wa

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

sapphire aluminum nitride wa online fabricage

(16)

JDWY01-001-004 2 duim dikke film (2,3) um AIN op saffierwafeltje, DSP, XRD FWHM van (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:14

1 inch AlN Single Crystal wafer 400±50μM S/P/R Grade
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:50:21

C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst
Contact

Lees meer

2022-09-27 15:39:11

JDWY01-001-006 2 Duim Dikke Film (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM van (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:14

2 Vliegtuig van duim het Semi Isolerende AIN Sapphire Single Crystal Wafer C
Contact

Lees meer

2022-09-27 15:43:34

$kopen JDWY01-001-007 2 inch dikke film (4,5) Um AIN op saffierwafer, SSP, XRD FWHM van (002) ≤ 160 boogseconden \ (102) ≤ 400 boogseconden online fabrikant$

JDWY01-001-007 2 inch dikke film (4,5) Um AIN op saffierwafer, SSP, XRD FWHM van (002) ≤ 160 boogseconden \ (102) ≤ 400 boogseconden
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:09

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

sapphire aluminum nitride wa online fabricage

JDWY01-001-004 2 duim dikke film (2,3) um AIN op saffierwafeltje, DSP, XRD FWHM van (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
Contact

1 inch AlN Single Crystal wafer 400±50μM S/P/R Grade
Contact

C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst
Contact

JDWY01-001-006 2 Duim Dikke Film (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM van (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
Contact

2 Vliegtuig van duim het Semi Isolerende AIN Sapphire Single Crystal Wafer C
Contact

JDWY01-001-007 2 inch dikke film (4,5) Um AIN op saffierwafer, SSP, XRD FWHM van (002) ≤ 160 boogseconden \ (102) ≤ 400 boogseconden
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP