Thuis Productenaluminum nitride wafer iso

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

aluminum nitride wafer iso online fabricage

(3)

Semi-isolerende aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer oppervlak
Contact

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip A thin film of aluminum nitride is a layer of aluminum that is resistant to high temperatur... Lees meer

2022-09-27 15:39:57

1 inch AlN Single Crystal wafer 400±50μM S/P/R Grade
Contact

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Lees meer

2024-12-06 17:50:21

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse
Contact

2024-12-06 17:49:47

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

aluminum nitride wafer iso online fabricage

Semi-isolerende aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer oppervlak
Contact

1 inch AlN Single Crystal wafer 400±50μM S/P/R Grade
Contact

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP