350um 4H SiC-substraat

Name: 350um 4H SiC-substraat
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Beste Producten

350um 4H SiC-substraat

Grote Afbeelding : 350um 4H SiC-substraat

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T

Contact

350um 4H SiC-substraat

beschrijving

Crystal Form:	4h	Oppervlakte metaalverontreiniging:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) cm2 ≤1E11
Productnaam:	Sic Epitaxial Wafeltje	Diameter:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Oppervlakterichtlijn:	Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °	Primaire Vlakke Lengte:	47.5mm ± 1.5mm
Secundaire Vlakke Lengte:	Geen Secundaire Vlakte	Primaire Vlakke Richtlijn:	Parallelle to<11-20>±1°
Orthogonal Misorientation:	±5.0°
Markeren:	350um 4H SiC-substraat , Microrow Epitaxial Wafer , 4H SiC-substraat N Type

6 inch 4H-SiC-substraat N-type P-SBD-klasse 350,0 ± 25,0 μm MPD≤0,5/cm²Resistiviteit 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm voor kracht en micro

15 cm 4H-SiC substraat N-type

Overzicht

Siliciumcarbide (SiC) is een niet-oxide keramisch technisch materiaal dat veel belangstelling heeft gekregen.De SiC-deeltjes vormen een relatief lage thermische uitzetting, hoge thermische geleidbaarheid, hoge hardheid en weerstand tegen slijtage en corrosie.

Eigendom	P-MOS-kwaliteit	P-SBD-kwaliteit	D-klasse
Kristallen vorm	4 uur
polytype	Geen Toegestaan		Gebied≤5%
(MPD)^A	≤0,2 /cm²	≤0,5 /cm²	≤5/cm²
Zeskantige platen	Geen Toegestaan		Gebied≤5%
Zeshoekig polykristal	Geen Toegestaan
Insluitsels^A	Area≤0.05%	Area≤0.05%	NVT
weerstand	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)^A	≤4000/cm2²	≤8000/cm2²	NVT
(TED)^A	≤3000/cm2²	≤6000/cm2²	NVT
(BPD)^A	≤1000/cm2²	≤2000/cm2²	NVT
(TSD)^A	≤600/cm2²	≤1000/cm2²	NVT
Stapel fout	≤0,5% oppervlakte	≤1% oppervlakte	NVT
Oppervlakte metaalverontreiniging	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Diameter	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Oppervlakteoriëntatie	Buiten de as: 4° richting <11-20>±0,5 °
Primaire platte lengte	47,5 mm ± 1,5 mm
Secundaire vlakke lengte	Geen secundaire flat
Primaire platte oriëntatie	Parallel aan<11-20>±1°
Secundaire vlakke oriëntatie	NVT
Orthogonale desoriëntatie	±5,0°
Oppervlakteafwerking	C-gezicht: optisch Pools, Si-gezicht: CMP
wafel rand	Afschuinen
Oppervlakteruwheid (10 μm × 10 μm)	Si Gezicht Ra≤0.20 nm; C Gezicht Ra≤0.50 nm
Dikte^A	350,0 μm ± 25,0 μm
LTV (10 mm × 10 mm)^A	≤2μm		≤3μm
(TTV)^A	≤6μm		≤10μm
(BOOG)^A	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Verdraaien)^A	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Chips/inspringingen	Geen Toegestaan ≥0,5 mm breedte en diepte		Qty.2 ≤1.0 mm Breedte en Diepte
Krassen^A (Si-gezicht, CS8520)	≤5 en Cumulatieve Length≤0.5×Wafer Diameter		≤5 en Cumulatieve Length≤1.5×Wafer Diameter
TUA(2mm*2mm)	≥98%	≥95%	NVT
Scheuren	Geen Toegestaan
Verontreiniging	Geen Toegestaan
Eigendom	P-MOS-kwaliteit	P-SBD-kwaliteit	D-klasse
Randuitsluiting	3mm

Opmerking: 3 mm randuitsluiting wordt gebruikt voor de items gemarkeerd met^A.

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

350um 4H SiC-substraat

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

350um 4H SiC-substraat

350um 4H SiC-substraat

350um 4H SiC-substraat

Microrow Epitaxial Wafer

4H SiC-substraat N Type

Epitaxial Wafeltjes van het siliciumcarbide,

n-Type sic Epitaxial Wafeltje,

sic Epitaxial Wafeltjec Gezicht

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP