Sic n-Type Substraat

Name: Sic n-Type Substraat
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Beste Producten

Sic n-Type Substraat

Grote Afbeelding : Sic n-Type Substraat

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T

Contact

Sic n-Type Substraat

beschrijving

Crystal Form:	4h	Oppervlakte metaalverontreiniging:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm⁻ ²
Productnaam:	substraat n-Type van 6inch 4H-sic	Diameter:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Oppervlakterichtlijn:	Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °	Primaire Vlakke Lengte:	47,5 mm ± 1,5 mm
Markeren:	Sic Epitaxial n-Type substraat , 6 duimwafeltje 150.0mm , 6inch n-Type substraat

Substraat n-Type van 6inch 4H-sic p-SBD-Rang 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2-Weerstandsvermogen 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm voor Macht en Microw

substraat n-Type van 6inch 4H-sic

Overzicht

Momenteel wordt het siliciumcarbide (sic) wijd gebruikt voor hoge macht MMIC toepassingen. Sic ook wordt gebruikt als substraat voor epitaxial groei van GaN voor nog hogere macht MMIC apparaten. Apparaten op hoge temperatuur. Omdat sic een hoog warmtegeleidingsvermogen heeft, verdrijft sneller sic hitte dan andere halfgeleidermaterialen.

Bezit	P-MOS Rang	P-SBD Rang	D Rang
Crystal Form	4H
Polytype	Toegelaten niets		Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Hexuitdraaiplaten	Toegelaten niets		Area≤5%
Hexagonale Polycrystal	Toegelaten niets
Opneming ^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	N/A
Weerstandsvermogen	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Het stapelen van Fout	≤0.5% Gebied	≤1% Gebied	N/A
De Verontreiniging van het oppervlaktemetaal	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Diameter	150,0 mm +0mm/-0.2mm
Oppervlakterichtlijn	Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °
Primaire Vlakke Lengte	47,5 mm ± 1,5 mm
Secundaire Vlakke Lengte	Geen Secundaire Vlakte
Primaire Vlakke Richtlijn	Parallelle to±1°<11-20>
Secundaire Vlakke Richtlijn	N/A
Orthogonal Misorientation	±5.0°
De oppervlakte eindigt	C-gezicht: Optisch Pools, Si-Gezicht: CMP
Wafeltjerand	Beveling
Oppervlakteruwheid (10μm×10μm)	Si-Gezicht Ra≤0.20 NM; C Gezicht Ra≤0.50 NM
Dikte ^a	350.0μm± 25,0 μm
LTV (10mm×10mm) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(BOOG) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Afwijking) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Spaanders/Paragrafen	Niets Toegelaten Breedte ≥0.5mm en Diepte		Qty.2≤1.0 mm Breedte en Diepte
Krast ^a (Si-Gezicht, CS8520)	≤5 en Cumulatieve Length≤0.5×Wafer-Diameter		≤5 en Cumulatieve Length≤1.5×Wafer Diameter
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	N/A
Barsten	Toegelaten niets
Verontreiniging	Toegelaten niets
Bezit	P-MOS Rang	P-SBD Rang	D Rang
Randuitsluiting	3mm

Opmerking: 3mm de randuitsluiting wordt gebruikt voor de punten duidelijk met ^a.

Ongeveer ons

Wij specialiseren ons in de verwerking van een verscheidenheid van materialen in wafeltjes, substraten en aangepast optisch die glas parts.components wijd op elektronika, optica, opto elektronika en veel andere gebieden worden gebruikt. Wij hebben ook nauw met vele binnenlandse en overzee universiteiten, onderzoeksinstellingen samengewerkt en de bedrijven, verlenen aangepaste producten en de diensten voor hun R&D-projecten. Het is onze visie aan het handhaven van een goede verhouding van samenwerking met onze alle klanten door onze goede reputaties.

FAQ

Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Q: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen in voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet in voorraad zijn, is het volgens hoeveelheid.
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of?
Ja, konden wij de steekproef voor vrije last aanbieden maar betalen niet de kosten van vracht.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden?
Betalings <> betaling >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Sic n-Type Substraat

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

Sic n-Type Substraat

Sic n-Type Substraat

Sic Epitaxial n-Type substraat

6 duimwafeltje 150.0mm

6inch n-Type substraat

Epitaxial Wafeltjes van het siliciumcarbide,

n-Type sic Epitaxial Wafeltje,

sic Epitaxial Wafeltjec Gezicht

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP