Thuis Producten Het Wafeltje van het aluminiumnitride

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

Name: ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD02-001-004
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

Grote Afbeelding : ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

Productdetails:

Merknaam:	GaNova
Modelnummer:	JDCD02-001-004

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1
Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Betalingscondities:	T/T

Contact

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

beschrijving

Diameter:	10mmx10mm	Dikte (μm):	400±50
kristalvorm:	2 uur	Polytype:	{0001}±0,5°
Ruwheid:	Al gezicht: ≤0.5nm n-gezicht (achter): ≤1.2μm	Oppervlakte het Oppoetsen:	Aluminiumoppervlakte: het chemische oppoetsen (dubbel
Markeren:	ALN aluminiumnitride wafer , 2H aluminiumnitride wafer , 10*10 mm2 aluminium wafers

AlN-substraat is een van de meest populaire keramische substraten met een uitstekende hittebestendigheid, hoge mechanische sterkte, slijtvastheid en klein diëlektrisch verlies.Het oppervlak van AlN-substraat is vrij glad en heeft een lage porositeit.Aluminiumnitride heeft een hogere thermische geleidbaarheid in vergelijking met aluminiumoxidesubstraat, het is ongeveer 7 tot 8 keer zo hoog.AlN-substraat is een uitstekend elektronisch pakketmateriaal.

Een dunne film van aluminiumnitride is een laagje aluminium dat bestand is tegen hoge temperaturen.Bij hoge temperaturen helpt deze laag aluminium het materiaal te beschermen.In omgevingen met hoge druk kan het onstabiel zijn.Het is bestand tegen een reeks temperaturen tot 980 graden Celsius.Op lagere niveaus kan het giftig zijn voor mensen.Het wordt ook gebruikt in mobiele telefoons.De eigenschappen zijn zeer divers.

*1010mm² Aluminiumnitride monokristallijn substraat**
Crystal-specificaties	Parameterwaarde
Diameter (mm)	10x10
Dikte (μm)	400 ± 50
Kristallen vorm	2 uur
polytype	{0001}±0,5°
Oppervlak polijsten	Aluminium oppervlak: chemisch polijsten (dubbel polijsten kan worden aangepast)
Ruwheid	Al gezicht: ≤0.5nm N gezicht (achter): ≤1.2μm
verschijning	vierkant
Kwaliteitsklasse	S-klasse (Super)	P-klasse (productie)	R-klasse (onderzoek)
HRXRD Halve hoogte breedte@{0002}(boogseconden)	≤150	≤300	≤500
HRXRD Halve hoogte breedte@{10-12}(boogseconden)	≤100	≤200	≤400
absorptiecoëfficiënt @ 265nm (cm^-1)	≤50	≤70	≤100
Randuitsluiting (mm)	1	1	1
Inspringingen	无	无	无
Chips	无	无	≤3 cumulatief ≤1,0 mm
TUA	≥90%
TTV (μm)	≤30
Schering (μm)	≤30
Boog (μm)	≤30
Scheuren	Nee, met het blote oog, sterk licht
Verontreiniging	Nee, blote oog, straling
pakket	Monolithische wafeldoos

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

Label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

1'' AlN Aluminium Nitride Wafer 400um S/P/R Grade Chemisch Polijsten

Productnaam: AlN eenkristal

Ruwheid: Al gezicht: ≤0.5nm N gezicht (achterkant): ≤1.2μm

Verschijning: Ronde riem positioneringsrand

TUA: ≥90%

25.4mm 1inch AlN Enig Kristal 400um 2H Crystal Form

Verschijning: Ronde riem positioneringsrand

Productnaam: Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Diameter (mm): 25.4±0.5

Dikte (μm): 400±50

1inch AlN Enig Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

TUA: ≥90%

Polytype: {0001}±0,5°

Productnaam: Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Diameter: 25,4 ± 0,5 mm

C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

Afmetingen: φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat: Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Geleidingstype: Semi-Insulating

Randuitsluitingszone: <2mm

Semi-isolerende aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer oppervlak

Afmetingen: φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat: Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Geleidingstype: Semi-Insulating

Randuitsluitingszone: <2mm

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

ALN 10*10mm2 AlN enkelkristal 400±50μM S/P/R-klasse

ALN aluminiumnitride wafer

2H aluminiumnitride wafer

10*10 mm2 aluminium wafers

Saffier Aluminium Nitride Wa,

Aluminiumnitridewafel ISO,

gepolijste saffierwafels

Sapphire Aluminum Nitride Wa,

Het Wafeltje ISO van het aluminiumnitride,

opgepoetste saffierwafeltjes

1'' AlN Aluminium Nitride Wafer 400um S/P/R Grade Chemisch Polijsten

25.4mm 1inch AlN Enig Kristal 400um 2H Crystal Form

1inch AlN Enig Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

Semi-isolerende aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer oppervlak

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP