4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

Name: 4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-001-031
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

Grote Afbeelding : 4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015
Modelnummer:	JDWY03-001-031

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 6 stuks of enkele wafelcon
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	10000pcs/Month

Contact

4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

beschrijving

Productnaam:	4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje	Dikte:	650 ± 25μm
Type:	Vlakke Saffier	Pools:	De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)
Afmeting:	100 ± 0.2mm	Richtlijn:	C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As 0,2 ± 0.1°
Markeren:	4inch gan op saffierwafeltjes , Blauwgroene LEIDEN Wafeltje , gan op saffierwafeltjes 100 mm

4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDENE Wafeltje Vlakke Saffier 100 ± 0,2 mm

het 4 duim Blauwe LEIDENE epitaxial wafeltje van GaN op saffierssp

De belangrijkste grondstof voor blauwe LEDs is galliumnitride, een robuust materiaal met een grote energiescheiding, of ‚hiaat‘, tussen elektronen en gaten -- dit hiaat is essentieel in het stemmen van de energie van de uitgezonden fotonen om blauw licht te veroorzaken.
De lichtgevende die dioden (LEDs) van galliumnitride worden vervaardigd (GaN) hebben geleid tot de totstandbrenging van hoog rendement witte verlichting in vaste toestand.

Een ander groot probleem in het produceren van blauwe LEDs was de moeilijkheid in p-smerende GaN met precisie. Eind jaren tachtig, ontdekten Amano en Akasaki dat toen GaN met zinkatomen werd gesmeerd, het uitzonden meer licht en zo gaf dit beter p-smeert. Deze fenomenen werden later verklaard in een artikel door Nakamura.

4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje
Substraat	Type	Vlakke Saffier
	Pools	De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)
	Afmeting	100 ± 0,2 mm
	Richtlijn	C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As 0,2 ± 0.1°
	Dikte	650 ± 25 μm
Epilayer	Structuur	0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN
	Dikte	5.5 ± 0.5μm
	Ruwheid (Ra)	<0>
	Dislocatiedichtheid	< 5="">8 cm2
	Golflengte	Blauwe leiden	Groene leiden
		465 ± 10 NM	525 ± 10 NM
	Golflengte FWHMs	< 25="" nm="">	< 40="" nm="">
Chip Performance	Cut-in voltage@1 μA	2.3-2.5V	2.2-2.4V
Bruikbaar Gebied	> 90% (rand en macrotekortenuitsluiting)
Pakket	Verpakt in cleanroom in één enkele wafeltjecontainer

Ongeveer ons

Wij specialiseren ons in de verwerking van een verscheidenheid van materialen in wafeltjes, substraten en aangepast optisch die glas parts.components wijd op elektronika, optica, opto elektronika en veel andere gebieden worden gebruikt. Wij hebben ook nauw met vele binnenlandse en overzee universiteiten, onderzoeksinstellingen samengewerkt en de bedrijven, verlenen aangepaste producten en de diensten voor hun R&D-projecten. Het is onze visie aan het handhaven van een goede verhouding van samenwerking met onze alle klanten door onze goede reputaties.

FAQ

Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Q: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen in voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet in voorraad zijn, is het volgens hoeveelheid.
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of?
Ja, konden wij de steekproef voor vrije last aanbieden maar betalen niet de kosten van vracht.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden?
Betalings <> betaling >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Productnaam: free-standing GaN Substrates

Dikte: 350 ±25µm

Richtlijn: C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

Boog: - 10µm ≤ BOOG ≤ 10µm

Macrotekortdichtheid: 0cm⁻ ²

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Boog: ≤ 20 μm

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

Productnaam: Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

Richtlijn: C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

Productnaam: 2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen: 50.8 ± 1mm

Dikte: 350 ± 25μm

Vlakke richtlijn: (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm

4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

4inch Groene LEIDENE van GaN On Sapphire Wafer Blue Wafeltje Vlakke Saffier 100 mm

4inch gan op saffierwafeltjes

Blauwgroene LEIDEN Wafeltje

gan op saffierwafeltjes 100 mm

De Halfgeleiderwafeltje van het galliumnitride,

Vrij Bevindend GaN Substrates,

Blauwe HOOFDgan epitaxial wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP