Sorry! This product is no longer available.

Let's see if there are any related products that interest you
product is no longer available.
Aanbevolen producten
SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si gedopte substraten

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si gedopte substraten

JDCD10-001-003 2 inch GaAs ((100) Zn gedopte substraten

JDCD10-001-003 2 inch GaAs ((100) Zn gedopte substraten

JDCD10-001-004 2 inch GaAs (111) Si-gedopte substraten

JDCD10-001-004 2 inch GaAs (111) Si-gedopte substraten

JDCD10-001-005 2 inch GaAs ((111) Zn gedopte substraten

JDCD10-001-005 2 inch GaAs ((111) Zn gedopte substraten

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm

JDCD06-001-005 6-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten geïntegreerde schakelingen toegewijde substraten voor discrete apparaten

JDCD06-001-005 6-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten geïntegreerde schakelingen toegewijde substraten voor discrete apparaten

JDCD06-001-004 5-inch Silicon Wafer MEMS apparaten geïntegreerde schakelingen Dedicated Substraten voor discrete apparaten

JDCD06-001-004 5-inch Silicon Wafer MEMS apparaten geïntegreerde schakelingen Dedicated Substraten voor discrete apparaten

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer

JDCD06-001-006 8-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten geïntegreerde schakelingen toegewijde substraten voor discrete apparaten

JDCD06-001-006 8-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten geïntegreerde schakelingen toegewijde substraten voor discrete apparaten

JDCD06-001-007 12-inch Silicon Wafer MEMS apparaten geïntegreerde schakelingen toegewijde substraten voor discrete apparaten

JDCD06-001-007 12-inch Silicon Wafer MEMS apparaten geïntegreerde schakelingen toegewijde substraten voor discrete apparaten

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W