Galliumnitride Wafer GaN Substraat Verpakkingsdisplay voor verzending
Kwaliteit SiC Epitaxial Wafer uit China.
Het gebruik van de in bijlage I vermelde chemische stoffen wordt beperkt tot de in bijlage I vermelde chemische stoffen.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. kwaliteitsfabrikant uit China.
We kunnen leveren:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Welkom op onze officiële website: http://www.epi-wafers.com
Het gebruik van de in bijlage I vermelde chemische stoffen wordt beperkt tot de in bijlage I vermelde chemische stoffen.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. kwaliteitsfabrikant uit China.
We kunnen leveren:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Welkom op onze officiële website: http://www.epi-wafers.com
Sic Epitaxial Wafeltje
Epitaxial Wafeltjes van het siliciumcarbide
N-type Sic epitaxiale wafer
Sic Epitaxiale Wafer C Gezicht
GaN-substraat
-
Blauwe LED GaN op Silicon Wafer Blauwe Laser GaN Epitaxiale Wafer
Contact nu -
GaN violette laser op silicium 2 inch GaN op silicium HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Contact nu -
4 inch 4H-SiC Substraat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistiviteit≥1E9Ω·Cm Voor krachtige magnetron
Contact nu -
4 inch 4H-SiC Substraat P-niveau SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistiviteit≥1E5Ω·cm Voor krachtige microgolf
Contact nu -
4 inch 4H-SiC-substraat P-niveau N-type 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Weerstand 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contact nu
Related Videos
625um tot 675um 4 inch Blauwe LED galliumnitride GaN Epitaxiale wafer op saffier SSP Vlak saffier
Uitstalling
October 29, 2024